SI7884BDP-T1-GE3


Купить SI7884BDP-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI7884BDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 58A PPAK 8SOIC MOSFET N-CH 40V 58A PPAK 8SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SI7884BDP-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C58A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs77nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3540pF @ 20V
Power - Max46W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® SO-8
КорпусPowerPAK® SO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI7884BDP-T1-GE3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход