SI7430DP-T1-GE3


Купить SI7430DP-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI7430DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SI7430DP-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs45 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C26A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs43nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1735pF @ 50V
Power - Max64W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® SO-8
КорпусPowerPAK® SO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI7430DP-T1-GE3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход