SI7113DN-T1-E3


Купить SI7113DN-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI7113DN-T1-E3 MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
Версия для печати

Технические характеристики SI7113DN-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs134 mOhm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C13.2A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1480pF @ 50V
Power - Max52W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® 1212-8
КорпусPowerPAK® 1212-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI7113DN-T1-E3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход