SI4484EY-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4484EY-T1-E3 (SILICONIX.)	1 149	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Версия для печати

Технические характеристики SI4484EY-T1-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 6.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	30nC @ 10V
Power - Max	1.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI4484EY-T1-E3 datasheet