2SJ058200L
|
MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 400pF @ 20V |
| Power - Max | 10W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | U-G2 |
| Корпус | U-G2 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
