SIR414DP-T1-GE3
|
MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 117nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4750pF @ 20V |
| Power - Max | 83W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
ATMEGA32A-PU |
|
ATMEL |
|
|
||
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
141 | 396.09 | |||
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
ANALOG DEVICES |
|
|
||
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
ATMEL CORPORATION |
|
|
||
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
MICRO CHIP | 2 000 | 440.68 | ||
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 284 |
|
||
| HP1-4-9M 0.125 1K | 12 | 16.80 | ||||||
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | TEXAS INSTRUMENTS | 1 132 | 28.19 | ||
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | TEXAS INSTRUMENTS | 666 |
|
||
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | TEXAS | 624 | 29.33 | ||
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS |
|
|
|||
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | 1 |
|
|
||
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | 4-7 НЕДЕЛЬ | 249 |
|
||
| АММОНИЯ ПЕРСУЛЬФАТ (NH4)2S2O8 0.25КГ |
|
187.20 | ||||||
| К10-17 0.1МКФ X7R 50В |
|
|
||||||
| К10-17 0.1МКФ X7R 50В | КИТАЙ | 8 | 3.05 |
