SI7113DN-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI7113DN-T1-GE3 (SILICONIX.)	115	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI7113DN-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	134 mOhm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	13.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1480pF @ 50V
Power - Max	52W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® 1212-8
Корпус	PowerPAK® 1212-8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.