SIR492DP-T1-GE3


Купить SIR492DP-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SIR492DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 40A PPAK 8SOIC MOSFET N-CH 12V 40A PPAK 8SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SIR492DP-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C40A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs110nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3720pF @ 6V
Power - Max36W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® SO-8
КорпусPowerPAK® SO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SIR492DP-T1-GE3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход