SI4686DY-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4686DY-T1-E3		382.40

Версия для печати

Технические характеристики SI4686DY-T1-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1220pF @ 15V
Power - Max	5.2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.