RRS110N03TB1


Купить RRS110N03TB1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
RRS110N03TB1 MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Версия для печати

Технические характеристики RRS110N03TB1

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.6 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C11A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs33nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2000pF @ 10V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


RRS110N03TB1 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход