SIA456DJ-T1-GE3
|
MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.38 Ohm @ 750mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 350pF @ 100V |
| Power - Max | 19W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SC-70-6 |
| Корпус | PowerPAK® SC-70-6 Single |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
