SI3493BDV-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI3493BDV-T1-E3 (SILICONIX.)	336	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI3493BDV-T1-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	43.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1805pF @ 10V
Power - Max	2.97W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.