SI1419DH-T1-E3
|
MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6
|
Версия для печати
Технические характеристики SI1419DH-T1-E3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 400mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 300mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.2nC @ 10V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SC-70-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
