SIA417DJ-T1-GE3
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 32nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1600pF @ 4V |
| Power - Max | 19W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SC-70-6 |
| Корпус | PowerPAK® SC-70-6 Single |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
