SI2333CDS-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI2333CDS-T1-E3 (SILICONIX.)	152	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI2333CDS-T1-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1225pF @ 6V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3 (TO-236)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.