SI4178DY-T1-GE3
|
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 405pF @ 15V |
| Power - Max | 5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ADP1613ARMZ-R7 | ANALOG DEVICES | 452 | 109.92 | |||||
| ADP1613ARMZ-R7 | ANALOG |
|
|
|||||
| ADP1613ARMZ-R7 | Analog Devices Inc |
|
|
|||||
| ADP1613ARMZ-R7 | ANALOG DEVICES |
|
|
|||||
| ADP1613ARMZ-R7 | 796 | 64.31 | ||||||
| AP2210N-3.3TRG1 | DIODES | 8 932 | 10.38 | |||||
| AP2210N-3.3TRG1 |
|
|
||||||
| AP2210N-3.3TRG1 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 667 |
|
|||||
| NX3225GD-8MHZ-STD-CRA-3 | NDK | 18 770 | 24.60 | |||||
| NX3225GD-8MHZ-STD-CRA-3 |
|
|
||||||
| RC0402FR-07100KL | YAGEO | 4 729 955 |
0.40 >1000 шт. 0.08 |
|||||
| RC0402FR-07100KL | YAGEO | 239 028 |
|
|||||
| RC0402FR-07100KL | 32 | 2.00 | ||||||
| RC0402FR-07200KL | YAGEO | 369 350 |
0.40 >1000 шт. 0.08 |
|||||
| RC0402FR-07200KL | YAGEO | 27 825 |
|
|||||
| RC0402FR-07200KL |
|
|
