SI4178DY-T1-GE3
|
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 405pF @ 15V |
| Power - Max | 5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
293D107X9020D2TE3 |
|
Vishay/Sprague |
|
|
|||
|
|
293D107X9020D2TE3 |
|
VISHAY | 6 840 | 56.14 | |||
|
|
293D107X9020D2TE3 |
|
|
|
||||
| GCM188R71E105KA64D | MURATA |
|
|
|||||
| GCM188R71E105KA64D | MUR | 111 731 | 1.11 | |||||
| GCM188R71E105KA64D |
|
|
||||||
| LSM9DS1TR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| LSM9DS1TR |
|
|
||||||
| RC0402FR-0710KL | YAGEO | 7 437 628 |
0.40 >1000 шт. 0.08 |
|||||
| RC0402FR-0710KL | YAGEO | 19 200 |
|
|||||
| RC0402FR-0710KL |
|
|
||||||
| RC0402FR-0751KL | YAGEO | 585 993 |
0.50 >1000 шт. 0.10 |
|||||
| RC0402FR-0751KL | YAGEO | 11 428 |
|
|||||
| RC0402FR-0751KL |
|
|
