SI2312BDS-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI2312BDS-T1-GE3 (VISHAY)	4 886	23.09

Версия для печати

Технические характеристики SI2312BDS-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Power - Max	750mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3 (TO-236)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.