SIA427DJ-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SIA427DJ-T1-GE3 (SILICONIX.)	380	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET P-CH 8V SC-70-6

Версия для печати

Технические характеристики SIA427DJ-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	50nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2300pF @ 4V
Power - Max	19W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® SC-70-6
Корпус	PowerPAK® SC-70-6 Single

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.