BSS123,215
|
MOSFET N-CH 100V 150MA SOT-23 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 120mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 150mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 40pF @ 25V |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
DC95F103W |
|
GE Sensing |
|
|
||
|
|
|
DC95F103W |
|
|
|
|||
| STPS20120D |
|
Диод 120V, 20A (Schottky) | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| STPS20120D |
|
Диод 120V, 20A (Schottky) | STMicroelectronics |
|
|
|||
| STPS20120D |
|
Диод 120V, 20A (Schottky) |
|
|
||||
| ПЛАТА МАКЕТНАЯ 30ММ Х 70ММ PCB ШАГ2.54ММ |
|
|
||||||
| ШЛЕЙФ 10 ЖИЛ /1.27MM/ |
|
|
||||||
| ШЛЕЙФ 10 ЖИЛ /1.27MM/ | КОМ |
|
|
|||||
| ШЛЕЙФ 10 ЖИЛ /1.27MM/ | CNEIEC |
|
|
|||||
| ШЛЕЙФ 10 ЖИЛ /1.27MM/ | ZHONGBO |
|
|
|||||
| ШЛЕЙФ 10 ЖИЛ /1.27MM/ | CONNFLY |
|
|
|||||
| ЩУП ДЛЯ ОСЦИЛЛОГРАФА100MHZX2 |
|
|
