FCD9N60NTM


Купить FCD9N60NTM ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FCD9N60NTM
Версия для печати

Технические характеристики FCD9N60NTM

Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs385 mOhm @ 4.5A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияSupreMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs17.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1000pF @ 100V
Power - Max92.6W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход