FDS6675BZ
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2470pF @ 15V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SO-8 |
| Корпус | 8-SO |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5802 | FAIR |
|
|
||||
|
|
2SC5802 |
|
132.00 | |||||
| INA196AIDBVRG4 | AGILENT TECHNOLOGIES |
|
|
|||||
| INA196AIDBVRG4 |
|
450.00 | ||||||
| INA196AIDBVRG4 | Texas Instruments |
|
|
|||||
| INA196AIDBVRG4 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 284 |
|
|||||
| STP50N06AFP | ST MICROELECTRONICS | 80 | 148.35 | |||||
| STP50N06AFP |
|
180.00 | ||||||
 |
THS3202D |
|
IC AMP CURRENT FDBACK 2GHZ | TEXAS INSTRUMENTS | 1 | 2 250.90 | ||
|
|
THS3202D |
|
IC AMP CURRENT FDBACK 2GHZ |
|
906.00 | |||
|
|
THS3202D |
|
IC AMP CURRENT FDBACK 2GHZ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 508 |
|
||
 |
КТ837Б | 58 | 41.58 | |||||
|
|
КТ837Б | КРЕМНИЙ | 52 | 59.34 | ||||
|
|
КТ837Б | МИНСК |
|
|
||||
|
|
КТ837Б | ВОРОНЕЖ | 26 | 21.20 | ||||
|
|
КТ837Б | БРЯНСК |
|
|
||||
|
|
КТ837Б | ВЗПП | 80 | 39.04 | ||||
|
|
КТ837Б | ИНТЕГРАЛ |
|
|
||||
|
|
КТ837Б | КРЕМН |
|
|
||||
|
|
КТ837Б | КРЕМНИЙ ЭЛ | 39 | 34.69 | ||||
|
|
КТ837Б | 55 |
|
|
||||
|
|
КТ837Б | 8 |
|
|
||||
|
|
КТ837Б | 49 |
|
|
