| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 220mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.06V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
41029-2, D19.8ММ, ОТВ. 6ММХ18 ЗУБЬЕВ |
|
|
KNOBS
|
|
|
|
|
|
|
B66418-B1008-D1 (B66418-W1008-D1), EFD20 |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
BAT54HT1G |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAT54HT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAT54HT1G |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BAT54HT1G |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BAT54HT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
3 238
|
|
|
|
|
|
BAT54HT1G |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BAT54HT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BAT54HT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BAT54HT1G |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAT54HT1G |
|
|
FUXIN
|
26 134
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
|
78 600
|
1.10
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
2 248
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DI
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS-FAIR
|
3
|
4.08
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
256
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
PANJIT
|
1
|
2.61
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YJ
|
365 594
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE
|
104
|
1.40
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
HOTTECH
|
173 224
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SIKOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JSCJ
|
205
|
1.08
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YOUTAI
|
40 447
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SUNTAN
|
1 556
|
1.42
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
EVVO
|
70 396
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KEEN SIDE
|
36 232
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
ST MICROELECTRONICS
|
5 499
|
180.20
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
|
2 134
|
65.81
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
273
|
|
|