MMDF2C03HDR2


MMDF2C03HDR2 (заказ)
MMDF2C03HDR2 MOSFET N/P-CH 30V 3A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 3A 8-SOIC

Технические характеристики MMDF2C03HDR2

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Product Change NotificationLTB Notification 08/Jan/2008
FET TypeN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs70 mOhm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.1A, 3A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds630pF @ 24V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru