IRF6150
|
MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET
|
Версия для печати
Технические характеристики IRF6150
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Power - Max | 3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 16-FlipFet™ |
| Корпус | 16-FlipFet™ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.