FDMJ1023PZ
-20v dual p-channel powertrench mosfet
Версия для печати
Технические характеристики FDMJ1023PZ
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 400pF @ 10V |
| Power - Max | 700mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-75 |
| Корпус | SC-75 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
FDMJ1023PZ (MOSFET)
-20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
Fairchild Semiconductor
|
