CSD86311W1723
|
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
|
Версия для печати
Технические характеристики CSD86311W1723
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | NexFET™ |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 2A, 8V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 585pF @ 12.5V |
| Power - Max | 1.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 12-UFBGA, CSPBGA |
| Корпус | 12-DSBGA (2.43x1.96) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
