Версия для печати
Технические характеристики SI4914BDY-T1-E3
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.4A, 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | LITTLE FOOT® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 2.7W, 3.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
