PHKD13N03LT,518
|
MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchMOS™ |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10.7nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 752pF @ 15V |
| Power - Max | 3.57W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000МКФ 35 (13X26)105°C |
|
|
||||||
| 1000МКФ 50 (13X21)105°C |
|
|
||||||
| 3300МКФ 10 (13X26)105°C |
|
|
||||||
| 3300МКФ 35 (16X35)105°C |
|
|
||||||
 |
 |
TL431IDBZR | TEXAS INSTRUMENTS | 8 996 | 16.53 | |||
|
|
|
TL431IDBZR | 6 000 | 9.78 | ||||
|
|
|
TL431IDBZR | NXP |
|
|
|||
|
|
|
TL431IDBZR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
|
|
|
TL431IDBZR | NXP | 161 |
|
|||
|
|
|
TL431IDBZR | TEXAS | 2 105 | 13.36 | |||
|
|
|
TL431IDBZR | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
|||
|
|
|
TL431IDBZR | TEXASINSTRUMENTS |
|
|
|||
|
|
|
TL431IDBZR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 408 |
|
