PHKD13N03LT,518
|
MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchMOS™ |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10.7nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 752pF @ 15V |
| Power - Max | 3.57W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G7L-2A-TUB200/240AC | OMRON |
|
|
|||||
| G7L-2A-TUB200/240AC | OMRON ELECTRONIC COMPONENTS |
|
|
|||||
| MCC-X7R-50В-0.082МКФK |
|
|
||||||
| MCC-X7R-50В-0.15МКФK | HITANO |
|
|
|||||
 |
 |
TL431IDBZR | TEXAS INSTRUMENTS | 11 089 | 13.43 | |||
|
|
|
TL431IDBZR |
|
15.00 | ||||
|
|
|
TL431IDBZR | NXP |
|
|
|||
|
|
|
TL431IDBZR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
|
|
|
TL431IDBZR | NXP | 161 |
|
|||
|
|
|
TL431IDBZR | TEXAS |
|
|
|||
|
|
|
TL431IDBZR | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
|||
|
|
|
TL431IDBZR | TEXASINSTRUMENTS |
|
|
|||
|
|
|
TL431IDBZR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 408 |
|
|||
 |
|
X7R 0.10UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.10мкФ, 50В, 10% |
|
|
||
|
|
|
X7R 0.10UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.10мкФ, 50В, 10% | SUNTAN |
|
|
|
|
|
|
X7R 0.10UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.10мкФ, 50В, 10% | КИТАЙ |
|
|
