US6M11TR
|
MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6
|
Версия для печати
Технические характеристики US6M11TR
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V, 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.5A, 1.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 110pF @ 10V |
| Power - Max | 700mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | UMT6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
