EM6J1T2R
|
MOSFET 2P-CH 20V 200MA EMT6
|
Версия для печати
Технические характеристики EM6J1T2R
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 200mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 115pF @ 10V |
| Power - Max | 150mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | EMT6 |
| Корпус | EMT6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
