DI9952T
|
MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
|
Версия для печати
Технические характеристики DI9952T
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.9A |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
