ALD1105PBL
|
MOSFET 2N+2P 13.2V 14PDIP
|
Версия для печати
Технические характеристики ALD1105PBL
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 13.2V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.8mA, 2mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1µA |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 14-PDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
