STS4C3F60L

Версия для печати

Технические характеристики STS4C3F60L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A, 3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1030pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STS4C3F60L (MOSFET)

N-channel 60V - 0.045 ? - 4A SO-8 Complementary pair STripFET™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STS4C3F60L datasheet
419.7 Кб