ECH8620-TL-E
|
MOSFET N/P-CH 100V 2/1.5A ECH8
|
Версия для печати
Технические характеристики ECH8620-TL-E
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2A, 1.5A |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 13.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 20V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ECH |
| Корпус | 8-ECH |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
