BSO211P
|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 920pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | P-DSO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru