DMN66D0LDW-7
|
MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Wire Change 23/May/2008 |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 115mA, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 115mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 23pF @ 25V |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
TPS51427ARHBR |
|
Texas Instruments |
|
|
||
|
|
|
TPS51427ARHBR |
|
TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
