BSL306N L6327


BSL306N L6327 (заказ)
BSL306N L6327 MOSFET N-CH DUAL 30V 2.3A TSOP-6 MOSFET N-CH DUAL 30V 2.3A TSOP-6

Технические характеристики BSL306N L6327

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs57 mOhm @ 2.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.3A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs1.6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds275pF @ 15V
Power - Max500mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSOP
КорпусPG-TSOP6-6
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru