STS9D8NH3LL


Dual n-channel 30 v - 0.012 ? - 9 a - so-8 low on-resistance stripfet™ power mosfet

STS9D8NH3LL (заказ)
STS9D8NH3LL

Технические характеристики STS9D8NH3LL

СерияSTripFET™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs22 mOhm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8A, 9A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds857pF @ 25V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru