DMG8601UFG-7
|
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
|
Версия для печати
Технические характеристики DMG8601UFG-7
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 143pF @ 10V |
| Power - Max | 920mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-UDFN Exposed Pad |
| Корпус | 8-DFN3030 (3x3) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
