EM6M1T2R
|
MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6
|
Версия для печати
Технические характеристики EM6M1T2R
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 100mA, 200mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 13pF @ 5V |
| Power - Max | 150mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | EMT6 |
| Корпус | EMT6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
