FDMB3800N
Dual n-channel powertrench mosfet
Версия для печати
Технические характеристики FDMB3800N
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.6nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 465pF @ 15V |
| Power - Max | 750mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-MLP, MicroFET™ |
| Корпус | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
FDMB3800N (MOSFET)
Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
Fairchild Semiconductor
|
