SIDC11D60SIC3
|
DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 4A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 600V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | Wafer |
| Корпус | Sawn on foil |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
