SDB06S60

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SDB06S60		986.84

Версия для печати

Технические характеристики SDB06S60

Скорость	No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type	Silicon Carbide Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr	200µA @ 600V
Current - Average Rectified (Io)	6A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7V @ 6A
Серия	thinQ!™
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Reverse Recovery Time (trr)	0ns
Capacitance @ Vr, F	300pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D²PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SDP06S60

Silicon Carbide Schottky Diode

Также в этом файле: SDB06S60

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SDB06S60 datasheet
310.47Kb
9стр.

Синонимы от поставщиков: SDB06S60 ; SDB-06S60 ; SDB 06S60 ; SDB — 06S60 ; SDB06S60 ; диод SDB06S60 ;