50WQ03FN
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 460mV @ 5A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 5.5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3mA @ 30V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1262 | SK |
|
|
||||
|
|
2SA1262 |
|
201.04 | |||||
|
|
2SC3179 |
|
Биполярный транзистор | SANKEN |
|
|
||
|
|
2SC3179 |
|
Биполярный транзистор | SK |
|
|
||
|
|
2SC3179 |
|
Биполярный транзистор |
|
45.24 | |||
|
|
2SC3179 |
|
Биполярный транзистор | NTM |
|
|
||
|
|
2SC3179 |
|
Биполярный транзистор | NO TRADEMARK |
|
|
||
|
|
2SC3179 |
|
Биполярный транзистор | ISCSEMI |
|
|
||
| MCE4WT-A2-0000-000M01 | CREE |
|
|
|||||
| MCE4WT-A2-0000-000M01 | Cree Inc |
|
|
|||||
| MCE4WT-A2-0000-000M01 |
|
2 530.00 | ||||||
 |
|
PVG5H102A01R00 |
|
Murata Electronics North America |
|
|
||
| TCMT1100 |
|
|
||||||
| TCMT1100 | VISHAY | 1 318 |
|
|||||
| TCMT1100 | Vishay/Semiconductors |
|
|
|||||
| TCMT1100 | VISHAY | 480 | 40.34 |
