SDT10S30


SDT10S30 (заказ)
SDT10S30

Технические характеристики SDT10S30

Current - Average Rectified (Io)10A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)300V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7V @ 10A
СерияthinQ!™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Reverse Leakage @ Vr200µA @ 300V
Diode TypeSilicon Carbide Schottky
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Capacitance @ Vr, F600pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-2
КорпусPG-TO220-2
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru