| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BLM18PG471SN1D |
|
Феррит сигнальный типоразмера 0603, 0.2Ом, 1.3А, 470Ом, 25%
|
MURATA
|
72 800
|
1.03
|
|
|
|
BLM18PG471SN1D |
|
Феррит сигнальный типоразмера 0603, 0.2Ом, 1.3А, 470Ом, 25%
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM18PG471SN1D |
|
Феррит сигнальный типоразмера 0603, 0.2Ом, 1.3А, 470Ом, 25%
|
|
4
|
|
|
|
|
BLM18PG471SN1D |
|
Феррит сигнальный типоразмера 0603, 0.2Ом, 1.3А, 470Ом, 25%
|
MUR
|
488 329
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BLM18PG471SN1D |
|
Феррит сигнальный типоразмера 0603, 0.2Ом, 1.3А, 470Ом, 25%
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM18PG471SN1D |
|
Феррит сигнальный типоразмера 0603, 0.2Ом, 1.3А, 470Ом, 25%
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
BLM18PG471SN1D |
|
Феррит сигнальный типоразмера 0603, 0.2Ом, 1.3А, 470Ом, 25%
|
0.00
|
|
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
VISHAY
|
9
|
53.29
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
|
77
|
146.15
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
12
|
|
|
|
|
|
KX-327NHT 32.768 KHZ |
|
Резонатор кварцевый 32.768Гц, 20ppm, 12.5pF
|
GEYER ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
KX-327NHT 32.768 KHZ |
|
Резонатор кварцевый 32.768Гц, 20ppm, 12.5pF
|
GEYER
|
|
|
|
|
|
KX-327NHT 32.768 KHZ |
|
Резонатор кварцевый 32.768Гц, 20ppm, 12.5pF
|
|
|
|
|
|
|
|
SM05T1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
SM05T1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SM05T1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 181
|
|
|
|
|
|
SM05T1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SM05T1G |
|
|
YOUTAI
|
18 585
|
1.34
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 539
|
30.36
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
5 195
|
38.16
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
1
|
72.99
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
VBYCR
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
7021
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
9
|
|
|
|