BAS16-7-F
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 75V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Capacitance @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Encapsulate Change 15/May/2008 Wire Change 16/Sept/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603-LQW18A_004.7NHD | MURATA |
|
|
|||||
| 0603-LQW18A_006.2NHD | MURATA |
|
|
|||||
| 0603-LQW18A_008.7NHD | MURATA |
|
|
|||||
 |
 |
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210) | MURATA |
|
|
|
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210) |
|
|
||
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210) | MURATA |
|
|
|
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210) | MUR | 2 689 | 5.26 | |
| LQH32CN6R8M53L | MUR | 18 852 | 4.21 | |||||
| LQH32CN6R8M53L |
|
|
||||||
| LQH32CN6R8M53L | MURATA |
|
|
