STTH1002CB-TR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STTH1002CB-TR (ST MICROELECTRONICS)	768	53.58

Версия для печати

Технические характеристики STTH1002CB-TR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 5A
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	8A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Reverse Recovery Time (trr)	25ns
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AT29C512-120TC		ATMEL
AT29C512-120TC
AT89C51-20PI		ATMEL
AT89C51-20PI			1	498.96
AT89C51-20PI		4-7 НЕДЕЛЬ	691
P89C60X2BA		PHILIPS
P89C60X2BA				2 004.80
P89C60X2BA		PHILIPS
P89C60X2BA		4-7 НЕДЕЛЬ	165
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	520	278.96
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	4-7 НЕДЕЛЬ	1 257
W27E010-12		WINBOND
W27E010-12		WINBOND