MBR3060PT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MBR3060PT		161.64

Сдвоенный, с общим катодом, диод шотки

Версия для печати

Технические характеристики MBR3060PT

Current - Reverse Leakage @ Vr	5mA @ 60V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	750mV @ 20A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	60V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Through Hole, Radial
Корпус (размер)	TO-3P-3, TO-247-3
Корпус	TO-247AD

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MBR30xxPT

Dual Schottky Rectifiers

Также в этом файле: MBR3060PT

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

MBR3060PT datasheet
0b

Синонимы от поставщиков: MBR3060PT ; MBR-3060PT ; MBR 3060PT ; MBR — 3060PT ; MBR3060PT ; диод MBR3060PT ;

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
16K1 F 100K	Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм		1 472	15.12
16K1 F 100K	Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм	RUICHI	56	23.89
16K1 F 200K
16K1 F 50K			760	16.25
16K1 F 50K		RUICHI	36	23.30
16K1 F 50K			760	16.25
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	VISHAY
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	ВЗПП
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А		960	26.13
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	Vishay/Siliconix
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	STMicroelectronics
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	КИТАЙ
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INFINEON	12	41.85
UF4007 (1A 1000В)	Диод ультрабыстрый 1000В, 1А, 75нс/500нс	DC COMPONENTS
UF4007 (1A 1000В)	Диод ультрабыстрый 1000В, 1А, 75нс/500нс