Версия для печати
Технические характеристики DDZ12B-7

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	12V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	900mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	100nA @ 9.1V
Power - Max	500mW
Impedance (Max) (Zzt)	12 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOD-123
Корпус	SOD-123
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C
Product Change Notification	Encapsulate Change 29/Aug/2008 Copper Bond Wire Change 3/May/2011

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		470МКФ 50В 12,5X20 («NCC» EKZM500ELL471MK20S)
		DDZ33-7			DIODES
		DDZ33-7			DIODES INC.	62 768
		DDZ33-7			Diodes Inc
		DDZ33-7
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	FAIR
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	FSC
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	FAIRCHILD
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A		2	74.00
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	FAIRCHILD
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	STMicroelectronics
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	Fairchild Semiconductor
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	КИТАЙ
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	ST MICROELECTRONICS	80	89.79
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	ST MICROELECTRO
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	STMICROELECTR
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	1
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	FAIR
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	FAIRCHILD
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А		1	216.72
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	FAIRCHILD
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	Fairchild Semiconductor
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	STMicroelectronics
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	ST MICROELECTRONICS	100	127.52
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	STMICROELECTR
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	ONS-FAIR
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	ONS
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	1
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 259	22.08
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	4 867	32.22
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	7021
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	9

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"